国立大学法人 豊橋技術科学大学 固体機能デバイス研究施設(Electron Device Research Center, Toyohashi University of Technology

固体機能デバイス研究施設について

 開学まもない昭和54年以来、他大学に先駆け教育研究としてIC(集積回路)の試作を行う一貫した設備の整備と維持を行い、平成6年に現在の施設に移行しました。その間、エンデバー搭載の宇宙実験用ICチップの開発からセンサとICを一体化したインテリジェントセンサなどの数々の独創的固体機能デバイスを開発・試作し、半導体・集積回路技術の全分野を真に理解できる大学院生の養成と独創的研究開発に努めてきています。

 施設は、集積回路の設計から、マスク作製、ICプロセス、評価までを有機的にできるCAD室とクリーンルームを備えています。微細加工技術を必要とする学内共同研究、社会人向けIC講習会(26年間継続)、国際技術交流(韓国との拠点大学方式交流事業(学振)など)の拠点施設の役割も果たしています。また、平成14年からはVBLと「機能集積化知能デバイスの開発・研究」で協力運営体制を整え、平成19年度に採択されたグローバルCOEプログラムでは「LSI工場」として研究・教育の拠点となっています。

固体機能デバイス教育・開発・施設整備等の主な歴史





昭和53年開学、新入生入学
昭和54年集積回路実験室(C1-405)完成:npnバイポーラ・トランジスタの試作に成功し、ラジオ製作
昭和55年宇宙酔い研究用IC(スペースシャトル・エンデバーに搭載)の開発・研究開始
昭和56年第一回集積回路技術講習会開催
昭和57年集積化磁気センサの研究開始
昭和58年テレメータIC研究開始
昭和59年集積化磁気センサ試作、メロディーCMOS・IC試作
昭和60年生体信号用CMOS・LSI開発
昭和61年低電圧駆動テレメータIC試作
昭和62年SOI構造デバイス研究開始
昭和63年2次元磁界検出高機能集積化磁気センサ試作
平成 元年3次元集積化磁気センサ開発
平成 2年宇宙実験用多生体多チャネルテレメトリIC開発(NASDAと共同研究)
平成 3年高温度用圧力センサ開発
平成 4年本学試作ICによるエンデバー宇宙実験成功、立体構造型多次元シリコン磁気センサ
平成 5年離散フーリエ変換VLSI試作、ニュ?ロチップ開発開始、立体構造コイル型高感度磁気センサ開発、ダブルSOI形高感度・高温度用圧力センサ開発(新技術事業団)
平成 6年固体機能デバイス施設完成・稼働開始、超高感度マイクロフラックスゲート磁気センサ開発、シリコン加速度センサ開発、容量形圧力センサ開発、韓国 慶北大学校センサ技術研究所との交流協定締結(博士学生5名来日)
平成 7年日本工業教育協会業績賞受賞、SSDM Award受賞(米津)、ビジョンチップの研究開始、ニューロチップ開発
平成 8年SOI加速度センサ開発、集積化マイクロフラックスゲート磁気センサ開発、高温用圧力センサ実用化
平成 9年低消費電力型画像圧縮イメージセンサ開発、集積化3次元加速度センサ(センサシンポジウム第1回優秀論文賞:高尾)
ATIP(ASIAN TECHNOLOGY INFORMATION PROGRAM)で評価
平成10年SHULUMBERGER Award 受賞(高温度用センサー:石田)、日本神経回路学会奨励賞(動き検出:浅井)、高専教官教育用(MUPS)CMOS集積回路チップ試作、生体電位計測スマートセンサチップ開発開始
平成11年韓国との拠点大学方式交流事業開始(次世代半導体開発:日本学術振興会事業)、エピタキシャルSOI-CMOSチップ完成、バイオチップ研究開始、融合形センサチップ開発
平成12年ステッパー導入(サブミクロン化へ)、Si(111)基板上のCMOS回路チップ、高温環境用高精度オペアンプチップ
平成13年生体電位計測スマートセンサチップ発表(国際会議招待講演、新聞、第10回応用物理学会講演奨励賞:河野)
血球カウンタチップ発表(国際会議、新聞)
平成14年21世紀COEプログラム「インテリジェントヒューマンセンシング」(〜平成18年度)
都市エリア産学連携事業「スマートセンサ」(〜平成16年度)
平成15年「機能集積化知能デバイスの開発・研究」でベンチャービジネスラボラトリー(VBL)と協力運営体制開始
pHイメージセンサ発表(第12回応用物理学会講演奨励賞:飛沢)、単結晶薄膜強誘電体型スマートチップ開発
平成16年国際会議(IEDM)にて神経電位計測チップ発表(IEEE 若手EDS賞:河野)、IT農業用スマートチップ放映(NHK)
平成17年JST-CREST「先端的統合センシング」都市エリア事業(発展型)、固体機能デバイス施設改築(評価室増設)
平成18年光・電子集積技術業績者賞受賞(モノリシック光電子融合システム基盤技術の先駆的研究:米津)
フィルタレス蛍光検出センサ発表(第22回応用物理学会講演奨励賞:丸山)
平成19年グローバルCOEプログラム「インテリジェントセンシングのフロンティア」(〜23年度)
OEIC単位回路実現(第22回応用物理学会論文賞:古川、若原)
平成20年第28回集積回路技術講習会(主催VBL)
電気学会学術振興賞(進歩賞)「MEMSと電子回路の集積化技術とそれを用いた先進デバイスの研究」(石田、澤田)
JST-CREST「プロセスインテグレーションによる機能発現ナノシステムの創製」
光・pH融合イメージセンサ発表(第24回応用物理学会講演奨励賞:松尾)
知的クラスター創成事業「浜松オプトロニクスクラスター」「東海広域ナノテクものづくりクラスター」(〜H23年度)
固体機能デバイス施設増設(極微細露光室、イオン注入室)
平成21年テーラーメイド・バトンゾーン教育プログラム開始
Siマイクロワイヤ突出型フォースセンサ開発(Transducers09 Outstanding Paper Award:池戸)
平成22年エレクトロニクス先端融合研究所(EIIRIS)竣工
応用物理学会フェロー「エピタキシャル成長とスマートマイクロセンサーの先駆的研究」(石田)
知の拠点重点研究プロジェクト

1bitモノリシックカウンタのOEIC開発(山根、若原、岡田)
4インチ窒化物半導体プロセスライン構築
平成23年1.5μm CMOSプロセス確立
平成24年GaN:Eu 赤色高効率発光デバイスを発表(第32回応用物理学会講演奨励賞:関口)
平成25年文部科学大臣表彰 科学技術賞 研究部門「イオンイメージセンサシステムの研究」(澤田)
第7回RF-MEMS技術講習会開催、第4回窒化物半導体プロセス講習会開催
平成26年電気学会 業績賞「集積化センサ工学発展への貢献」(石田)
第34回集積回路技術講習会開催